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GB/T17626浪涌沖擊抗擾度標(biāo)準(zhǔn)辦理要求
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GB/T17626浪涌沖擊抗擾度標(biāo)準(zhǔn)修訂要注意什么？GB/T 17626.5-2008《電磁兼容，試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)，浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)》[1]（舊標(biāo)準(zhǔn)）于2008年5月發(fā)布，2009年1月實(shí)施，GB/T 17626.5-2019《電磁兼容，試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)，浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)》[2]（新標(biāo)準(zhǔn)）于2019年6月發(fā)布。新標(biāo)準(zhǔn)使用翻譯法等同采用IEC 61000-4-5:2014《電磁兼容（EMC）第4～5部分：試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)》[3]。
1主要修訂內(nèi)容
1.1刪除部分
�。�1）刪除了舊標(biāo)準(zhǔn)第2章的部分引用文件：GB/T 4365、GB/T 16927.1、GB/Z 18509-2001、IEC 62305、IEC 60469-1。
（2）刪除了舊標(biāo)準(zhǔn)6.2關(guān)于10/700μs組合波發(fā)生器的描述。
�。�3）刪除了舊標(biāo)準(zhǔn)第7章關(guān)于高速通信線的試驗(yàn)配置的描述、關(guān)于施加電位差的試驗(yàn)配置的描述以及關(guān)于EUT的工作狀態(tài)的描述。
1.2增加部分
�。�1）新標(biāo)準(zhǔn)第3章增加了3個(gè)新的定義。
耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)coupling/decoupling network、CDN，即耦合網(wǎng)絡(luò)和去耦網(wǎng)絡(luò)的組合。
波前時(shí)間Tf，（浪涌電壓）一個(gè)為30%峰值和90%峰值兩點(diǎn)之間所對(duì)應(yīng)時(shí)間間隔T的1.67倍的虛擬參數(shù)。（浪涌電流）一個(gè)為10%峰值和90%峰值兩點(diǎn)之間所對(duì)應(yīng)時(shí)間間隔T的1.25倍的虛擬參數(shù)。
電源端口power port，即為設(shè)備或相關(guān)設(shè)備提供電源而使其正常工作的導(dǎo)線或電纜的端口。
�。�2）新標(biāo)準(zhǔn)第3章增加了縮略語(yǔ)。
AE：輔助設(shè)備（Auxiliary equipment）；CD：耦合裝置（Coupling device）；CDN：耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)（Coupling/Decoupling network）；CLD：箝位器件（Clamping device）；CN：耦合網(wǎng)絡(luò)（Coupling network）；CWG：組合波發(fā)生器（Combination wave generator）；DN：去耦網(wǎng)絡(luò)（Decoupling network）；EFT/B：電快速瞬變/脈沖群（Electrical fast transient/Burst）；EMC：電磁兼容（Electromagnetic compatibility）；ESD：靜電放電（Electrostatic discharge）；EUT：受試設(shè)備（Equipment under test）；GDT：氣體放電管（Gas discharge tube）；MU：測(cè)量不確定度（Measurement uncertainty）；PE：保護(hù)地（Protective earth）；SPD：浪涌保護(hù)器（Surge protective device）。
1.3修改部分
�。�1）修改了2個(gè)定義。舊標(biāo)準(zhǔn)中持續(xù)時(shí)間（duration）定義為規(guī)定的波形或特征存在或持續(xù)的間隔值。新標(biāo)準(zhǔn)中持續(xù)時(shí)間分為3個(gè)具體內(nèi)容單獨(dú)定義。
1.2/50μs浪涌電壓。浪涌電壓從上升到峰值電壓的一半，到下降到峰值電壓的一半，二者之間的時(shí)間間隔（Tw），持續(xù)時(shí)間Td＝Tw。
8/20μs浪涌電流。虛擬參數(shù)，定義為浪涌電流從上升到峰值電流的一半，到下降到峰值電流的一半，二者之間的時(shí)間間隔（Tw），再乘以1.18，持續(xù)時(shí)間Td＝1.18×Tw。
5/320μs浪涌電流波形。浪涌電流從上升到峰值電流的一半，到下降到峰值電流的一半，二者之間的時(shí)間間隔（Tw），持續(xù)時(shí)間Td＝Tw。
（2）修改了對(duì)1.2/50μs～8/20μs波形參數(shù)的定義。舊標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)波形參數(shù)定義如表3，新標(biāo)準(zhǔn)中波形參數(shù)定義如表4。
�。�3）修改了耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的選擇流程圖。圖1為舊標(biāo)準(zhǔn)的流程圖，圖2為新標(biāo)準(zhǔn)的流程圖。
�。�4）修改了對(duì)于用于交/直流電源的CDN的要求，主要更改了CDN的EUT端口的電壓波形要求。表5為舊標(biāo)準(zhǔn)的電壓波形要求，表6為新標(biāo)準(zhǔn)的電壓波形要求。
�。�5）EUT電源端的試驗(yàn)配置，新標(biāo)準(zhǔn)中增加了對(duì)CDN的選擇。CDN的選擇應(yīng)滿足EUT的額定電流要求（例如，額定電流5 A的EUT應(yīng)采用一個(gè)額定電流16 A的CDN）。對(duì)于額定電流相對(duì)較低的EUT，任何高于其額定電流的CDN都可以使用，只要其滿足表4中規(guī)定的要求（例如，額定電流64 A的CDN可以用于額定電流5 A的EUT的試驗(yàn)，只要其滿足額定電流16 A的CDN的要求）。
舊標(biāo)準(zhǔn)中提到對(duì)于沒(méi)有地線或外部接地連接的雙重絕緣產(chǎn)品，如沒(méi)有其他接地的可能，可以不進(jìn)行線到地測(cè)試，而新標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定對(duì)于雙重絕緣產(chǎn)品（例如，沒(méi)有任何專門(mén)的接地端子），不施加線-地的浪涌。
（6）對(duì)屏蔽線施加浪涌的試驗(yàn)布置做了較大更改。雙端接地的屏蔽線按圖3給屏蔽層施加浪涌。對(duì)屏蔽線的試驗(yàn)使用2Ω源阻抗的發(fā)生器和18μF電容；對(duì)于一端接地的屏蔽線，因?yàn)榇祟惼帘螌?duì)由磁場(chǎng)感應(yīng)的浪涌不能提供任何防護(hù)。在這種情況下，浪涌試驗(yàn)不適用于此類屏蔽。
（7）試驗(yàn)報(bào)告中增加了2部分內(nèi)容，包含試驗(yàn)布置和EUT的布局的示意圖和/或照片和所有被測(cè)電纜的類型，包括電纜長(zhǎng)度以及連接到EUT的端口。
2新標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施指導(dǎo)
新標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施過(guò)程中主要有兩點(diǎn)需注意和調(diào)整：（1）耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)的校準(zhǔn)。（2）對(duì)于屏蔽線的試驗(yàn)配置和測(cè)試方法需調(diào)整。
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